Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1051| Title: | Исследование тонкопленочных солнечных элементов на основе p-i-n структур |
| Other Titles: | Дослідження тонкоплівкових сонячних елементів на основі p-i-n структур Investigation of thin film solar cells based on p-i-n structures |
| Authors: | Швец, Евгений Яковлевич Киселев, Егор Николаевич Зубко, Евгения Ивановна Швець, Євген Якович Кісельов, Єгор Миколайович Зубко, Євгенія Іванівна Shvets, Yevgen Kiselev, Egor Zubko, Yevgenya |
| Keywords: | ток струм current полупроводник напівпровідник semicoductor |
| Issue Date: | Apr-2007 |
| Publisher: | Видавництво ЗДІА |
| Citation: | Швец, Е. Я. Исследование тонкопленочных солнечных элементов на основе p-i-n структур / Е. Я. Швец, Е. Н. Киселев, Е. И. Зубко // XII науково-технічна конференція студентів, магістрантів, аспірантів і викладачів ЗДІА. Частина ІІІ. Секція “Фізичної та біомедичної електроніки, секція “Електронних систем”. – Запоріжжя, 2007. – С. 11-12 |
| Abstract: | RU: Проведено исследование влияния толщины высокоомного і – слоя солнечного элемента с p-i-n – переходом на ток короткого замыкания EN: A study of the influence of the thickness of a high-resistance i - layer of a solar cell with a p-i-n - transition to a short-circuit current was made. UA: Проведено дослідження впливу товщини високоомного і - шару сонячного елемента з p-i-n - переходом на струм короткого замикання |
| URI: | https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1051 |
| Appears in Collections: | Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.