Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Дружко, Сергей Николаевич | - |
dc.contributor.author | Киселев, Егор Николаевич | - |
dc.contributor.author | Дружко, Сергій Миколайович | - |
dc.contributor.author | Кісельов, Єгор Миколайович | - |
dc.contributor.author | Kiselev, Egor | - |
dc.contributor.author | Druzhko, Sergey | - |
dc.date.accessioned | 2019-01-24T14:11:28Z | - |
dc.date.available | 2019-01-24T14:11:28Z | - |
dc.date.issued | 2013-04 | - |
dc.identifier.citation | Дружко, С. Н. Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода / С. Н. Дружко, Е. Н. Киселев // Матеріали XVIII науково – технічної конференції студентів, магістрантів, аспірантів і викладачів ЗДІА. Електроніка, автоматизовані системи та сучасні інформаційні технології. Том ІІІ, 15-19 квітня 2013 р. – Запоріжжя: ЗДІА, – 2013. – С. 30 | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066 | - |
dc.description.abstract | RU: Полученные результаты позволяют сделать вывод о том, что комбинированный p-i-n диод возможно использовать для разработки на его основе сенсорных устройств с функцией внутренней коррекции ошибки определения регистрируемых величин. | uk |
dc.description.abstract | UA: Отримані результати дозволяють зробити висновок про те, що комбінований p-i-n діод можливо використовувати для розробки на його основі сенсорних пристроїв з функцією внутрішньої корекції помилки визначення реєстрованих величин. | uk |
dc.description.abstract | EN: The obtained results allow us to conclude that the combined p-i-n diode can be used to develop on its basis sensor devices with the function of internal error correction for determining detected values. | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Видавництво ЗДІА | uk |
dc.subject | напряжение | uk |
dc.subject | потенциал | uk |
dc.subject | затвор | uk |
dc.subject | напруга | uk |
dc.subject | потенціал | uk |
dc.subject | заслон | uk |
dc.subject | voltage | uk |
dc.subject | potential | uk |
dc.subject | gate | uk |
dc.title | Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода | uk |
dc.title.alternative | Фізико-топологічне моделювання комбінованого р-і-n діоду | uk |
dc.title.alternative | Simulation of combined р-і-n diode | uk |
dc.type | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Druzko.pdf | 244.25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.