1. DSpace at ZNU
  2. Інженерний навчально-науковий інститут
  3. Кафедра електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення
  4. Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення
Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1256
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКісельов, Єгор Миколайович-
dc.contributor.authorKiselev, Egor-
dc.contributor.authorКиселев, Егор Николаевич-
dc.date.accessioned2020-02-07T06:56:32Z-
dc.date.available2020-02-07T06:56:32Z-
dc.date.issued2018-11-
dc.identifier.citationКісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49uk
dc.identifier.urihttps://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1256-
dc.descriptionКісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора [Електронний ресурс] / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49uk
dc.description.abstractUA: Запропоновано структуру комбінованого транзистора, що відрізняється наявністю двох протилежно розташованих польових електродів. Проведені дослідження приладу показали, що у порівнянні з однозаслонним прототипом, крутість передавальної характеристики збільшується в 2 рази і становить 0,3 мА/Вuk
dc.description.abstractEN: The structure of the combined transistor, which differs by the presence of two oppositely located field electrodes, is proposed. The investigation of this device showed that in comparison with single-gate prototype, the transduction characteristic slope is increased by twice and is 0.3 mA / Vuk
dc.description.abstractRU: Предложена структура комбинированного транзистора, отличающийся наличием двух противоположно расположенных полевых электродов. Проведенные исследования прибора показали, что по сравнению с однозатворным прототипом, крутизна передаточной характеристики увеличивается в 2 раза и составляет 0,3 мА / Вuk
dc.language.isoukuk
dc.publisherВидавництво ЗДІАuk
dc.subjectзаслонuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectдатчикuk
dc.subjectпідсиленняuk
dc.subjectзатворuk
dc.subjectмоделированиеuk
dc.subjectдатчикuk
dc.subjectусилениеuk
dc.subjectgateuk
dc.subjectsimulationuk
dc.subjectsensoruk
dc.subjectamplificationuk
dc.titleДослідження двозаслонного комбінованого транзистораuk
dc.title.alternativeThe two-gate combined transistor investigationuk
dc.title.alternativeИсследование двухзатворного комбинированного транзистораuk
Appears in Collections:Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
48.pdf799.03 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.