1. DSpace at ZNU
  2. Інженерний навчально-науковий інститут
  3. Кафедра електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення
  4. Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення
Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1257
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКостенко, Виталий Леонидович-
dc.contributor.authorКиселев, Егор Николаевич-
dc.contributor.authorГлазева, Оксана Владимировна-
dc.contributor.authorКостенко, Віталій Леонідович-
dc.contributor.authorКісельов, Єгор Миколайович-
dc.contributor.authorГлазєва, Оксана Володимирівна-
dc.contributor.authorKostenko, Vitaliy-
dc.contributor.authorKiselev, Egor-
dc.contributor.authorGlazeva, Oksana-
dc.date.accessioned2020-02-07T06:58:58Z-
dc.date.available2020-02-07T06:58:58Z-
dc.date.issued2004-10-
dc.identifier.citationКостенко, В. Л. Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений / В. Л. Костенко, О. В. Глазева, Е. Н. Киселев / Холодильна техніка і технологія, №5(91), 2004. – С. 92-97uk
dc.identifier.urihttps://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1257-
dc.descriptionКостенко, В. Л. Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений / В. Л. Костенко, О. В. Глазева, Е. Н. Киселев / Холодильна техніка і технологія, №5(91), 2004. – С. 92-97uk
dc.description.abstractRU: Проведено компьютерное исследование характеристик би-МОП структуры на основе эквивалентной схемы, полученной исходя из физических основ функционирования и конструкции биполярного транзистора с полевым управлением. На основе предложенной микроэлектронной структуры авторами проводятся работы по созданию датчиков мощности излучения, имеющих возможность адаптивной настройки.uk
dc.description.abstractEN: The study of Bi - MOS structure is carried out on the basis of an equivalent circuit, designed from a principal physics of operation and construction of the bipolar transistor with field control. On the basis of offered microelectronic structure the authors are under way to design transducers of emission power emissions having an opportunity of adaptive customization.uk
dc.description.abstractUA: Проведено комп'ютерне дослідження характеристик бі-МОН структури на основі еквівалентної схеми, отриманої виходячи з фізичних основ функціонування і конструкції біполярного транзистора з польовим управлінням. На основі запропонованої мікроелектронної структури авторами проводяться роботи по створенню датчиків потужності випромінювання, що мають можливість адаптивної настройки.uk
dc.language.isoruuk
dc.subjectби-МОП структураuk
dc.subjectдатчикuk
dc.subjectBi - MOS structureuk
dc.subjectsensoruk
dc.subjectбі-МОН структураuk
dc.subjectдатчикuk
dc.titleИсследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излученийuk
dc.title.alternativeДослідження бі-МОП структури для інтегрованих датчиків потужності випромінюваньuk
dc.title.alternativeInvestigation of bi-MOS structures for integrated radiation power sensorsuk
dc.typeСтатьяuk
Appears in Collections:Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Holod2004.pdf702.46 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.