Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1642
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кісельов, Єгор Миколайович | - |
dc.contributor.author | Таранець, Андрій Вікторович | - |
dc.contributor.author | Строітєлєва, Ніна Іванівна | - |
dc.contributor.author | Киселев, Егор Николаевич | - |
dc.contributor.author | Таранец, Андрей Викторович | - |
dc.contributor.author | Строителева, Нина Ивановна | - |
dc.contributor.author | Kiselev, Egor | - |
dc.contributor.author | Taranets, Andrey | - |
dc.contributor.author | Stroiteleva, Nina | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-17T05:12:54Z | - |
dc.date.available | 2020-03-17T05:12:54Z | - |
dc.date.issued | 2019-02 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1642 | - |
dc.description | Кісельов Є. М., Таранець А. В., Строітєлєва Н. І. Мікроелектронний термоємнісний вимірювальний перетворювач. Патент. [Електронний ресурс] Офіційний бюлетень "Промислова власність". 2019. № 3. C. 4. | uk |
dc.description.abstract | UA : В основу корисної моделі поставлено задачу створення мікроелектронного термоємнісного вимірювального перетворювача, в якому за рахунок поєднання біметалевої мембрани з затвором МОН - транзистору забезпечується підвищення точності вимірювань, виключається необхідність модуляції інтенсивності випромінювання і геометричних розмірів приладу. | uk |
dc.description.abstract | EN : The utility model is based on the task of creating a microelectronic thermoelectric measuring transducer, in which, due to the combination of a bimetallic membrane and a MOS - transistor gate, the measurement accuracy is increased, the need for modulating the radiation intensity and the geometric dimensions of the device is eliminated. | uk |
dc.description.abstract | RU : В основу изобретения поставлена задача создания микроэлектронного термоемкостного измерительного преобразователя, в котором за счет сочетания биметаллической мембраны с затвором МОП - транзистора обеспечивается повышение точности измерений, исключается необходимость модуляции интенсивности излучения и геометрических размеров устройства. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Укрпатент | uk |
dc.subject | мембрана | uk |
dc.subject | МОН - транзистор | uk |
dc.subject | membrane | uk |
dc.subject | MOS - transistor | uk |
dc.subject | мембрана | uk |
dc.subject | МОП - транзистор | uk |
dc.title | Мікроелектронний термоемнісний вимірювальний перетворювач | uk |
dc.title.alternative | Microelectronic thermoelectric measuring transducer | uk |
dc.type | Інші публікації | uk |
Appears in Collections: | Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Патент2019.pdf | Патент | 943.35 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.