Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/436
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Костенко, Виталий Леонидович | - |
dc.contributor.author | Костенко, Віталій Леонідович | - |
dc.contributor.author | Kostenko, Vitaliy Leonidovych | - |
dc.contributor.author | Киселев, Егор Николаевич | - |
dc.contributor.author | Кісельов, Єгор Миколайович | - |
dc.contributor.author | Kiselev, Egor Nikolayevich | - |
dc.date.accessioned | 2018-03-05T08:25:18Z | - |
dc.date.available | 2018-03-05T08:25:18Z | - |
dc.date.issued | 1997 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/436 | - |
dc.description | Киселев, Е.Н. Математическое моделирование характеристик комбинированной транзисторной структуры [Електронний ресурс] / Е. Н. Киселев , В.Л. Костенко // Металлургия / ред. М. П. Ревун. - Запорожье, 1997. - C. 352- 357 | uk |
dc.description.abstract | RU : Разработана схемная модель комбинированной транзисторной структуры. Проведено моделирование комбинированной транзисторной структуры в системе МАЭС-П. Результаты исследований могут быть использованы для разработки адаптивных сенсоров | uk |
dc.description.abstract | UA : Розроблено схемну модель комбінованої транзисторної структури. Проведено моделювання комбінованої транзисторної структури в системі МАЕС-П. Результати досліджень можуть бути використані для розробки адаптивних сенсорів | uk |
dc.description.abstract | EN : A circuit model of a combined transistor structure was developed. The combined transistor structure in the MAES-P system was simulated. The results of the research can be used to develop adaptive sensors | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | “Металлургия”, Сб. науч. трудов, ЗГИА | uk |
dc.subject | комбинированная транзисторная структура | uk |
dc.subject | combined transistor structure | uk |
dc.subject | комбінована транзисторна структура | uk |
dc.subject | транзистор | uk |
dc.subject | транзистор | uk |
dc.subject | transistor | uk |
dc.subject | затвор | uk |
dc.subject | заслон | uk |
dc.subject | gate | uk |
dc.subject | база | uk |
dc.subject | база | uk |
dc.subject | base | uk |
dc.title | Математическое моделирование характеристик комбинированной транзисторной структуры | uk |
dc.title.alternative | Математичне моделювання характеристик комбінованої транзисторної структури | uk |
dc.title.alternative | Mathematical modeling of the combined transistor structure characteristics | uk |
dc.type | Статья | uk |
Appears in Collections: | Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Met1998.pdf | 257.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.