UA: З метою ідентифікації параметрів елементів еквівалентної схеми датчика потужності випромінювання було проведено фізико-топологічне моделювання біполярного транзистора з польовим керуванням.
EN: In order to identify the elements parameters equivalent circuit of the absorbed radiation power sensor, a physico-topological simulation of a bipolar transistor with field control was performed.
RU: С целью идентификации параметров элементов эквивалентной схемы датчика поглощаемой мощности излучения было проведено физико-топологическое моделирование биполярного транзистора с полевым управлением.