UA: Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблених датчиків залежно від рівня потужності випромінювання шляхом зміни умов проходження електричного струму в БТПК. Визначено, що розроблені датчиків потужності випромінювань (ДПВ) характеризуються адаптивним регулюванням чутливості для варіанту включення підсистеми чутливого елемента – керуючого елемента в ланцюг затвора БТПК в межах 0,125-7,5 мА/мВт та 0,267-1 мА/Вт в ланцюг бази БТПК
EN: A three-level method for the synthesis and study of integrated adaptive sensors based on a field control bipolar transistor (FCBT) is proposed. The system of adaptive sensitivity control of the developed sensors is constructed which depending on the level of the radiation power by changing the conditions for the passage of an electric current in the FCBT is constructed. The developed radiation power sensors are characterized by adaptive sensitivity control for the variant with the inclusion of the sensor element - control element in the gateway circuit of the FCBT in the range of 0.125-7.5 mA / mW and 0.267-1 mA / W in the FCBT base circuit is established
RU: Предложены трехуровневая методика синтеза и исследования интегрированных адаптивных датчиков на основе биполярного транзистора с полевым управлением (БТПУ). Построена система адаптивного регулирования чувствительности разработанных датчиков в зависимости от уровня мощности излучения путем изменения условий прохождения электрического тока в БТПУ. Установлено, что разработанные датчики мощности излучений характеризуются адаптивным регулированием чувствительности для варианта с включением подсистемы чувствительного элемента – управляющего элемента в цепь затвора БТПУ в диапазоне 0,125-7,5 мА/мВт и 0,267-1 мА/Вт в цепь базы БТПУ
