UA : Виконано аналіз процесу вирощування монокристалів кремнію методом спрямованої кристалізації при розчиненні матеріалу тигля та захисного покриття, що дозволяє виробляти кристали з заданим розподілом домішок. Показано закономірності розподіл домішки кисень та питомого електричного опору від технологічних режимів та розчиненню матеріалу тигля. Визначено матеріали захисного покриття тигля для отримання заданого вмісту та розподілу домішок у монокристала кремнію, що вирощуються методом спрямованої кристалізації.
EN : An analysis of the process of growing single crystals of silicon by the method of direct crystallization during dissolution of the crucible material and protective coating, which allows to produce crystals with a given impurity distribution. The regularities of the distribution of oxygen impurity and specific electrical resistance from technological modes and dissolution of the crucible material are shown. The materials of the crucible protective coating to obtain the desired content and distribution of impurities in silicon single crystals grown by direct crystallization are determined.
