Взаємодія двокомпонентних напівпровідників з радикалами газової фази

Abstract

UA : Робота викладена на 59 сторінках друкованого тексту, містить 19 рисунків, було використано 35 літературних джерел. Мета роботи: виконати експериментальне мас-спектрометричне дослідження впливу компонентів газової фази на властивості поверхонь алмазоподібних напівпровідникових сполук типу AIII BV, які є найближчими ізоелектронними аналогами кремнію і германію. Об’єкт дослідження – взаємодія двокомпонентних напівпровідників з радикалами газової фази. Предмет дослідження є взаємодія атомарного водню з поверхнею фосфіду індію. Дослідження адсорбції на поверхні напівпровідників InP та GaN. Методи дослідження – аналітичний, емпіричний, експериментальний. В даній роботі проведено експериментальне мас-спектрометричне дослідження впливу компонент газової фази на стан поверхні алмазоподібних напівпровідникових сполук типу AIII BV.

EN : Master’s qualification work «Interaction of two-component semiconductors with gas phase radicals »: 59 pages, 19 figures, 35 sources. In this work, an experimental mass spectrometric study of the influence of gas phase components on the surface properties of diamond-like semiconductor compounds of type AIII BV is carried out. The object of research is the interaction of two-component semiconductors with gas phase radicals. The subject of research is the interaction of atomic hydrogen with the surface of indium phosphide. Study of adsorption on the surface of InP and GaN semiconductors. Research methods are analytical, empirical, experimental. The subject of research is the interaction of atomic hydrogen with the surface of indium phosphide. Study of adsorption on the surface of InP and GaN semiconductors. The purpose of the work: to carry out an experimental mass spectrometric study of the influence of gas phase components on the surface properties of diamond-like semiconductor compounds of type AIII BV, which are the closest isoelectronic analogs of silicon and germanium.