Електро-фізичні властивості контакту метал-напівпровідник на межі розділу Cu-Si

Abstract

UA : В роботі 74 сторінок, 12 таблиць та 25 рисунків, було використано 30 літературних джерел. Об’єкт дослідження – електро-фізичні властивості контакту метала з напівпровідником. Мета роботи – визначення оптимальних технологічних режимів виготовлення контактів Cu-Si для отримання запірного або антизапірного типу контакту. Методи дослідження – хімічна обробка, вакуумне напилення, відпал. Проаналізовано та порівняно результати експериментальних та теоретичних данних. Визначено які фактори впливають на електро-фізичні властивості межі розділу контакту.

EN : In the work 74 pages, 12 tables and 25 figures, was used 30 literary sources. The object of study is the electrical and physical properties of metal- semiconductor contact. The aim of the study is to determine the optimum technological modes of Cu-Si contacts formation in order to obtain the ohmic or rectifier type of the contact. The methods of study are chemical treatment, vacuum deposition, annealing. Results of experimental and theoretical data are analyzed and compared. The factors that influence the electrical and physical properties of the metal- semiconductor interface are determined.