UA : Проведено аналіз методів вирощування монокристалів кремнію та оцінено структуру та зріст монокристалів по методу Чохральського. Виконана оцінка температурних полів в зоні росту монокристалів, що можуть допомогти оптимізувати процес вирощування монокристалів кремнію. Проаналізовано швидкості зросту монокристалів кремнію по базових напрямах.
EN : The analysis of methods for growing silicon single crystals is carried out, and the structure and growth of single crystals by the Czochralski method are estimated. The temperature fields in the growth zone of single crystals are estimated, which can help to optimize the process of growing silicon single crystals. The growth rates of silicon single crystals in basic directions are analyzed.
