UA : Робота викладена на 70 сторінках друкованого тексту, містить 2 таблиці, 9 рисунків. Перелік посилань включає 20 джерел з них на іноземній мові 0. В кваліфікаційній роботі бакалавра спроектована піч для вирощування монокристалів кремнію діаметром 150 мм з одночасним зниженням споживаної енергії нагрівачем за рахунок зменшення тепловитрат системи. Розглянуто ринок напівпровідникового кремнію та методи його отримання. Описані теплові вузли для процесів вирощування монокристалів кремнію. Проведено розрахунок теплової системи установки вирощування монокристалів. За результатами розрахунків представлено методи раціонального використання відходів та шляхи вдосконалення технології монокристалічного кремнію.
EN : The work is presented on 70 pages of printed text, contains 2 tables, 9 figures. The list of references includes 20 sources, 0 of them in foreign language. In the qualification work of the bachelor, a furnace was designed for growing silicon single crystals with a diameter of 150 mm with a simultaneous reduction in energy consumption by the heater by reducing the heat consumption of the system. The market of semiconductor silicon and methods of its production are considered. Thermal units for the processes of growing silicon single crystals are described. The calculation of the thermal system of the single crystal growing plant was performed. According to the results of calculations, the methods of rational use of waste and ways to improve the technology of single-crystal silicon are presented.
