Вплив зовнішнього магнітного поля на ВАХ напівпровідникових діодних структур

Abstract

UA : Робота викладена на 60 сторінках друкованого тексту, містить 36 рисунків, було використано 21 літературне джерело. Об’єкт дослідження – ВАХ напівпровідникових діодів на постійному струмі у магнітному полі та без магнітного поля. Предмет дослідження – діоди Д2 та Д9. Мета роботи: складання установки для вимірювання ВАХ діодів та проведення пробних експерментів на постійному струмі для широкого набору зразків з метою вибору найбільш чутливих до впливу магнітного поля та виявленя недоліків використовуваного обладнання, схем, режимів тощо. Метод дослідження: аналітичний. У кваліфікаційній роботі розглянуто теоретичні основи роботи напівпровідникових структур, основні магнітокінетичні ефекти, проведено експерименти з дослідження впливу зовнішнії магнітних полів на ВАХ напівпровідникових приладів.

EN : Qualification work of the master «Effect of external magnetic field on the I–V characteristics of semiconductor diode structures» : 60 p., 36 fig., 21 sources. Object of research - the I-V characteristic of semiconductor diodes at direct current in a magnetic field and without a magnetic field. Subject of research - D2 and D9 diodes. The purpose of the work: assembling a device for measuring the current-voltage of diodes and conducting trial experiments on direct current for a wide range of samples in order to select the most sensitive to the influence of the magnetic field and to identify the shortcomings of the used equipment, circuits, modes, etc. Research method: analytical. In the qualification work, the theoretical foundations of the operation of semiconductor structures, the main magnetokinetic effects, experiments were conducted to study the influence of external magnetic fields on the I-V characteristics of semiconductor devices.