Особливості технології вирощування монокристалів кремнію

Simple item page
dc.contributor.authorДудка, Владислав Сергійович
dc.date.accessioned2021-01-27T13:25:47Z
dc.date.available2021-01-27T13:25:47Z
dc.date.issued2020
dc.descriptionДудка В. С. Особливості технології вирощування монокристалів кремнію : кваліфікаційна робота магістра спеціальності 136 "Металургія" / наук. керівник Р. М. Воляр. Запоріжжя : ЗНУ, 2020. 61 с.uk
dc.description.abstractUA : Проведено аналіз методів вирощування монокристалів кремнію та оцінено структуру та зріст монокристалів по методу Чохральського. Виконана оцінка температурних полів в зоні росту монокристалів, що можуть допомогти оптимізувати процес вирощування монокристалів кремнію. Проаналізовано швидкості зросту монокристалів кремнію по базових напрямах.uk
dc.description.abstractEN : The analysis of methods for growing silicon single crystals is carried out, and the structure and growth of single crystals by the Czochralski method are estimated. The temperature fields in the growth zone of single crystals are estimated, which can help to optimize the process of growing silicon single crystals. The growth rates of silicon single crystals in basic directions are analyzed.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.znu.edu.ua/items/3f25e040-f328-46fa-aa70-a020433b8643
dc.language.isoukuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectмонокристалиuk
dc.subjectметод Чохральськогоuk
dc.subjectплощини ростуuk
dc.subjectтеплові режимиuk
dc.subjectполя розподілу температуриuk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectsingle crystalsuk
dc.subjectСzochralski methoduk
dc.subjectgrowth planesuk
dc.subjectthermal regimesuk
dc.subjecttemperature distribution fieldsuk
dc.titleОсобливості технології вирощування монокристалів кремніюuk
dc.typeМагістерська роботаuk

Files

Collections

Кваліфікаційні випускні роботи здобувачів магістерського рівня вищої освіти кафедри металургійних технологій, екології та техногенної безпеки