Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора
| dc.contributor.author | Кісельов, Єгор Миколайович | |
| dc.contributor.author | Kiselev, Egor | |
| dc.contributor.author | Киселев, Егор Николаевич | |
| dc.date.accessioned | 2020-02-07T06:56:32Z | |
| dc.date.available | 2020-02-07T06:56:32Z | |
| dc.date.issued | 2018-11 | |
| dc.description | Кісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора [Електронний ресурс] / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49 | uk |
| dc.description.abstract | UA: Запропоновано структуру комбінованого транзистора, що відрізняється наявністю двох протилежно розташованих польових електродів. Проведені дослідження приладу показали, що у порівнянні з однозаслонним прототипом, крутість передавальної характеристики збільшується в 2 рази і становить 0,3 мА/В | uk |
| dc.description.abstract | EN: The structure of the combined transistor, which differs by the presence of two oppositely located field electrodes, is proposed. The investigation of this device showed that in comparison with single-gate prototype, the transduction characteristic slope is increased by twice and is 0.3 mA / V | uk |
| dc.description.abstract | RU: Предложена структура комбинированного транзистора, отличающийся наличием двух противоположно расположенных полевых электродов. Проведенные исследования прибора показали, что по сравнению с однозатворным прототипом, крутизна передаточной характеристики увеличивается в 2 раза и составляет 0,3 мА / В | uk |
| dc.identifier.citation | Кісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49 | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.znu.edu.ua/items/96424fc6-2516-489f-8aaa-8942a54ba7e9 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Видавництво ЗДІА | uk |
| dc.subject | заслон | uk |
| dc.subject | моделювання | uk |
| dc.subject | датчик | uk |
| dc.subject | підсилення | uk |
| dc.subject | затвор | uk |
| dc.subject | моделирование | uk |
| dc.subject | датчик | uk |
| dc.subject | усиление | uk |
| dc.subject | gate | uk |
| dc.subject | simulation | uk |
| dc.subject | sensor | uk |
| dc.subject | amplification | uk |
| dc.title | Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора | uk |
| dc.title.alternative | The two-gate combined transistor investigation | uk |
| dc.title.alternative | Исследование двухзатворного комбинированного транзистора | uk |