RU: Проведено исследование влияния толщины высокоомного і – слоя солнечного элемента с p-i-n – переходом на ток короткого замыкания
EN: A study of the influence of the thickness of a high-resistance i - layer of a solar cell with a p-i-n - transition to a short-circuit current was made.
UA: Проведено дослідження впливу товщини високоомного і - шару сонячного елемента з p-i-n - переходом на струм короткого замикання
