UA: Запропоновано структуру комбінованого транзистора, що відрізняється наявністю двох протилежно розташованих польових електродів. Проведені дослідження приладу показали, що у порівнянні з однозаслонним прототипом, крутість передавальної характеристики збільшується в 2 рази і становить 0,3 мА/В
EN: The structure of the combined transistor, which differs by the presence of two oppositely located field electrodes, is proposed. The investigation of this device showed that in comparison with single-gate prototype, the transduction characteristic slope is increased by twice and is 0.3 mA / V
RU: Предложена структура комбинированного транзистора, отличающийся наличием двух противоположно расположенных полевых электродов. Проведенные исследования прибора показали, что по сравнению с однозатворным прототипом, крутизна передаточной характеристики увеличивается в 2 раза и составляет 0,3 мА / В
