Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора

Кісельов, Єгор Миколайович; Kiselev, Egor; Киселев, Егор Николаевич

dc.contributor.author	Кісельов, Єгор Миколайович
dc.contributor.author	Kiselev, Egor
dc.contributor.author	Киселев, Егор Николаевич
dc.date.accessioned	2020-02-07T06:56:32Z
dc.date.available	2020-02-07T06:56:32Z
dc.date.issued	2018-11
dc.identifier.citation	Кісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49	uk
dc.identifier.uri	https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1256
dc.description	Кісельов Є.М. Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора [Електронний ресурс] / Є. М. Кісельов // Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18). Еlements, devices and systems of electronic technique (ЕDSET-2018). Матеріали першої міжнародної науково-практичної конференції. / Запорізька державна інженерна академія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2018 – С. 48 - 49	uk
dc.description.abstract	UA: Запропоновано структуру комбінованого транзистора, що відрізняється наявністю двох протилежно розташованих польових електродів. Проведені дослідження приладу показали, що у порівнянні з однозаслонним прототипом, крутість передавальної характеристики збільшується в 2 рази і становить 0,3 мА/В	uk
dc.description.abstract	EN: The structure of the combined transistor, which differs by the presence of two oppositely located field electrodes, is proposed. The investigation of this device showed that in comparison with single-gate prototype, the transduction characteristic slope is increased by twice and is 0.3 mA / V	uk
dc.description.abstract	RU: Предложена структура комбинированного транзистора, отличающийся наличием двух противоположно расположенных полевых электродов. Проведенные исследования прибора показали, что по сравнению с однозатворным прототипом, крутизна передаточной характеристики увеличивается в 2 раза и составляет 0,3 мА / В	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	Видавництво ЗДІА	uk
dc.subject	заслон	uk
dc.subject	моделювання	uk
dc.subject	датчик	uk
dc.subject	підсилення	uk
dc.subject	затвор	uk
dc.subject	моделирование	uk
dc.subject	датчик	uk
dc.subject	усиление	uk
dc.subject	gate	uk
dc.subject	simulation	uk
dc.subject	sensor	uk
dc.subject	amplification	uk
dc.title	Дослідження двозаслонного комбінованого транзистора	uk
dc.title.alternative	The two-gate combined transistor investigation	uk
dc.title.alternative	Исследование двухзатворного комбинированного транзистора	uk