RU: Проведено компьютерное исследование характеристик би-МОП структуры на основе эквивалентной схемы, полученной исходя из физических основ функционирования и конструкции биполярного транзистора с полевым управлением. На основе предложенной микроэлектронной структуры авторами проводятся работы по созданию датчиков мощности излучения, имеющих возможность адаптивной настройки.
EN: The study of Bi - MOS structure is carried out on the basis of an equivalent circuit, designed from a principal physics of operation and construction of the bipolar transistor with field control. On the basis of offered microelectronic structure the authors are under way to design transducers of emission power emissions having an opportunity of adaptive customization.
UA: Проведено комп'ютерне дослідження характеристик бі-МОН структури на основі еквівалентної схеми, отриманої виходячи з фізичних основ функціонування і конструкції біполярного транзистора з польовим управлінням. На основі запропонованої мікроелектронної структури авторами проводяться роботи по створенню датчиків потужності випромінювання, що мають можливість адаптивної настройки.
