Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений

Костенко, Виталий Леонидович; Киселев, Егор Николаевич; Глазева, Оксана Владимировна; Костенко, Віталій Леонідович; Кісельов, Єгор Миколайович; Глазєва, Оксана Володимирівна; Kostenko, Vitaliy; Kiselev, Egor; Glazeva, Oksana

dc.contributor.author	Костенко, Виталий Леонидович
dc.contributor.author	Киселев, Егор Николаевич
dc.contributor.author	Глазева, Оксана Владимировна
dc.contributor.author	Костенко, Віталій Леонідович
dc.contributor.author	Кісельов, Єгор Миколайович
dc.contributor.author	Глазєва, Оксана Володимирівна
dc.contributor.author	Kostenko, Vitaliy
dc.contributor.author	Kiselev, Egor
dc.contributor.author	Glazeva, Oksana
dc.date.accessioned	2020-02-07T06:58:58Z
dc.date.available	2020-02-07T06:58:58Z
dc.date.issued	2004-10
dc.identifier.citation	Костенко, В. Л. Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений / В. Л. Костенко, О. В. Глазева, Е. Н. Киселев / Холодильна техніка і технологія, №5(91), 2004. – С. 92-97	uk
dc.identifier.uri	https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1257
dc.description	Костенко, В. Л. Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений / В. Л. Костенко, О. В. Глазева, Е. Н. Киселев / Холодильна техніка і технологія, №5(91), 2004. – С. 92-97	uk
dc.description.abstract	RU: Проведено компьютерное исследование характеристик би-МОП структуры на основе эквивалентной схемы, полученной исходя из физических основ функционирования и конструкции биполярного транзистора с полевым управлением. На основе предложенной микроэлектронной структуры авторами проводятся работы по созданию датчиков мощности излучения, имеющих возможность адаптивной настройки.	uk
dc.description.abstract	EN: The study of Bi - MOS structure is carried out on the basis of an equivalent circuit, designed from a principal physics of operation and construction of the bipolar transistor with field control. On the basis of offered microelectronic structure the authors are under way to design transducers of emission power emissions having an opportunity of adaptive customization.	uk
dc.description.abstract	UA: Проведено комп'ютерне дослідження характеристик бі-МОН структури на основі еквівалентної схеми, отриманої виходячи з фізичних основ функціонування і конструкції біполярного транзистора з польовим управлінням. На основі запропонованої мікроелектронної структури авторами проводяться роботи по створенню датчиків потужності випромінювання, що мають можливість адаптивної настройки.	uk
dc.language.iso	ru	uk
dc.subject	би-МОП структура	uk
dc.subject	датчик	uk
dc.subject	Bi - MOS structure	uk
dc.subject	sensor	uk
dc.subject	бі-МОН структура	uk
dc.subject	датчик	uk
dc.title	Исследование би-МОП структуры для интегрированных датчиков мощности излучений	uk
dc.title.alternative	Дослідження бі-МОП структури для інтегрованих датчиків потужності випромінювань	uk
dc.title.alternative	Investigation of bi-MOS structures for integrated radiation power sensors	uk
dc.type	Статья	uk