UA : Робота викладена на 50 сторінках друкованого тексту, містить 16 рисунків, було використано 25 літературних джерел. Мета дослідження полягає в теоретичному і експериментальному дослідженні вольт-амперної характеристики (ВАХ) p-n переходів з шунтуванням. Для досягнення цієї мети необхідно вирішити наступні завдання: ознайомитися з теоретичними основами дослідження ВАХ p-n переходів з шунтуванням; розробити методику експериментального дослідження ВАХ p-n переходів з шунтуванням та провести експериментальне дослідження. Об'єкт дослідження - p-n перехід з шунтуванням. Предмет дослідження - вимірювання ВАХ p-n переходу з шунтуванням. Методи дослідження – аналітичний та експериментальний. У теоретичній частині роботи розглядаються основні принципи роботи p-n переходів та процеси, що впливають на їх ВАХ. Експериментальна частина роботи включає вивчення p-n переходів зі шунтуванням в лабораторних умовах. Отримані результати дозволять поглибити розуміння фізичних процесів, що відбуваються в p-n переходах з шунтуванням, та розробити рекомендації для практичного використання цих знань у сучасних технологіях напівпровідникової електроніки.
EN : Master’s qualification work « Theoretical and experimental study of I-V characteristics of shunted p-n junctions »: 50 pages, 16 figures, 25 references. The aim of the study is to theoretically and experimentally investigate the I-V characteristics of shunted p-n junctions. To achieve this goal, it is necessary to solve the following tasks: to familiarize with the theoretical foundations of studying the I-V characteristics of shunted p-n junctions; to develop a methodology for the experimental study of the I-V characteristics of shunted p-n junctions and conduct experimental research. The object of research is the shunted p-n junction. The subject of the study is the measurement of I-V characteristics of a shunted p-n junction. Research methods – analytical and experimental. In theoretical part of this work the basic principles of p-n junction operation and the processes affecting their I-V characteristics are discussed. The experimental part of the work includes the and study of shunted p-n junctions in laboratory conditions. The obtained results will deepen the understanding of the physical processes occurring in shunted p-n junctions and develop recommendations for the practical use of this knowledge in modern semiconductor electronics technologies.
