Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066
Title: | Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода |
Other Titles: | Фізико-топологічне моделювання комбінованого р-і-n діоду Simulation of combined р-і-n diode |
Authors: | Дружко, Сергей Николаевич Киселев, Егор Николаевич Дружко, Сергій Миколайович Кісельов, Єгор Миколайович Kiselev, Egor Druzhko, Sergey |
Keywords: | напряжение потенциал затвор напруга потенціал заслон voltage potential gate |
Issue Date: | Apr-2013 |
Publisher: | Видавництво ЗДІА |
Citation: | Дружко, С. Н. Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода / С. Н. Дружко, Е. Н. Киселев // Матеріали XVIII науково – технічної конференції студентів, магістрантів, аспірантів і викладачів ЗДІА. Електроніка, автоматизовані системи та сучасні інформаційні технології. Том ІІІ, 15-19 квітня 2013 р. – Запоріжжя: ЗДІА, – 2013. – С. 30 |
Abstract: | RU: Полученные результаты позволяют сделать вывод о том, что комбинированный p-i-n диод возможно использовать для разработки на его основе сенсорных устройств с функцией внутренней коррекции ошибки определения регистрируемых величин. UA: Отримані результати дозволяють зробити висновок про те, що комбінований p-i-n діод можливо використовувати для розробки на його основі сенсорних пристроїв з функцією внутрішньої корекції помилки визначення реєстрованих величин. EN: The obtained results allow us to conclude that the combined p-i-n diode can be used to develop on its basis sensor devices with the function of internal error correction for determining detected values. |
URI: | https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066 |
Appears in Collections: | Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Druzko.pdf | 244.25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.