Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066
Title: Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода
Other Titles: Фізико-топологічне моделювання комбінованого р-і-n діоду
Simulation of combined р-і-n diode
Authors: Дружко, Сергей Николаевич
Киселев, Егор Николаевич
Дружко, Сергій Миколайович
Кісельов, Єгор Миколайович
Kiselev, Egor
Druzhko, Sergey
Keywords: напряжение
потенциал
затвор
напруга
потенціал
заслон
voltage
potential
gate
Issue Date: Apr-2013
Publisher: Видавництво ЗДІА
Citation: Дружко, С. Н. Физико-топологическое моделирование комбинированного р-і-n диода / С. Н. Дружко, Е. Н. Киселев // Матеріали XVIII науково – технічної конференції студентів, магістрантів, аспірантів і викладачів ЗДІА. Електроніка, автоматизовані системи та сучасні інформаційні технології. Том ІІІ, 15-19 квітня 2013 р. – Запоріжжя: ЗДІА, – 2013. – С. 30
Abstract: RU: Полученные результаты позволяют сделать вывод о том, что комбинированный p-i-n диод возможно использовать для разработки на его основе сенсорных устройств с функцией внутренней коррекции ошибки определения регистрируемых величин.
UA: Отримані результати дозволяють зробити висновок про те, що комбінований p-i-n діод можливо використовувати для розробки на його основі сенсорних пристроїв з функцією внутрішньої корекції помилки визначення реєстрованих величин.
EN: The obtained results allow us to conclude that the combined p-i-n diode can be used to develop on its basis sensor devices with the function of internal error correction for determining detected values.
URI: https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/1066
Appears in Collections:Наукові видання кафедри електроніки, інформаційних систем та програмного забезпечення

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Druzko.pdf244.25 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.